[发明专利]形成互连结构的方法及其形成的互连结构有效
| 申请号： | 200710135957.7 | 申请日： | 2007-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101038907A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨智超;K·K·H·黄;N·R·克林科;C·C·帕克斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单或双镶嵌型的互连结构及其形成方法，其基本上减小了在贵金属籽晶层上镀敷导电材料的表面氧化问题。根据本发明，使用氢等离子体处理来处理贵金属籽晶层，以使处理过的贵金属籽晶层具有高抗表面氧化性。本发明的抗氧化贵金属籽晶层具有低的C含量和/或低的氮含量。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 互连 结构 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包括：介质材料，其中包括至少一个开口；扩散阻挡层，位于所述至少一个开口中；抗氧化贵金属籽晶层，位于所述扩散阻挡层上；以及互连导电材料，位于所述抗氧化贵金属籽晶层顶部的所述至少一个开口中。
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