[发明专利]相变材料层及其形成方法、相变存储装置及其形成方法

摘要

示例性实施例可提供一种相变材料层和形成相变材料层的方法以及使用相变材料层的装置，形成相变材料层的方法包括以下步骤：在反应室中产生包括氩和/或氦的等离子体；将包括第一材料的第一源气体引入，以在目标物上形成第一材料层；将包括第二材料的第二源气体引入到反应室中，在目标物上形成第一复合材料层，将包括第三材料的第三源气体引入，以在第一复合材料层上形成第三材料层；将包括第四材料的第四源气体引入，以在第一复合材料层上形成第二复合材料层。示例性实施例的含碳的相变材料层可在氦/氩等离子体环境以及低温条件下通过在各种供给时间内提供源气体更加容易和/或快速地形成。示例性实施例还可包括使用相变存储层的存储装置。

主权项

1.一种形成相变材料层的方法，包括：在反应室中产生包括不活泼气体的等离子体；将包括第一材料的第一源气体引入到反应室中，以在目标物上形成第一材料层；将包括第二材料的第二源气体引入到反应室中，以在目标物上形成第一复合材料层，所述第一复合材料层包括第一材料和第二材料；将包括第三材料的第三源气体引入到反应室中，以在第一复合材料层上形成第三材料层；将包括第四材料的第四源气体引入到反应室中，以在第一复合材料层上形成第二复合材料层，所述第二复合材料层包括第三材料和第四材料。