[发明专利]硅传声器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710136826.0 申请日: 2007-07-17
公开(公告)号: CN101111102A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 铃木幸俊;平出诚治;寺田隆洋 申请(专利权)人: 雅马哈株式会社
主分类号: H04R19/01 分类号: H04R19/01;H04R19/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种硅传声器,皱褶形成在导电层中并位于形成膜片的中心部与周边之间,其中皱褶形成在连接形成于导电层周向上的多个支持部的虚线上,从而可增加导电层的刚性;于是,可难以在导电层中发生扭曲或变形,与加于其的应力的变化无关。或者,板中平坦部连续形成在台阶部的两侧以增加其刚性,其中多个孔通过避开台阶部均匀形成和设置在平坦部中。于是,可实现硅传声器的高灵敏度以及性能和特性的均一性。
搜索关键词: 传声器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种硅传声器,包括:其中心部形成膜片的导电层;设置在导电层的周向上以支持导电层的多个支持部;以及形成在导电层中和与横跨多个支持部之间画出的虚线配置的皱褶。
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