[发明专利]掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法无效
申请号: | 200710136896.6 | 申请日: | 2007-07-23 |
公开(公告)号: | CN101109896A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 李峻硕 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00;H01L27/14;H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法,该掩模包括:透明掩模,由掩模图案区限定;以及掩模图案,位于掩模图案区上,包括第一相移层以及位于第一相移层上的第二相移层,第一相移层具有第一透射率而第二相移层具有第二透射率,第二透射率不同于第一透射率。该微透镜汇聚CMOS图像传感器中的外部光,使得由光电二极管照射的微透镜能够具有良好的曲率半径。借助本发明,通过叠置至少两个具有彼此不同的透射率的相移层来形成用以形成CMOS图像传感器中微透镜的相移掩模,使得当用该相移掩模形成微透镜时微透镜能够具有均匀大小并且微透镜能够具有均匀曲率而与掩模图案阵列的位置无关。 | ||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 透镜 | ||
【主权项】:
1.一种掩模,包括:透明掩模,由掩模图案区限定;以及掩模图案,位于所述掩模图案区上,包括第一相移层以及位于所述第一相移层上的第二相移层,所述第一相移层具有第一透射率而所述第二相移层具有第二透射率,所述第二透射率不同于所述第一透射率。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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