[发明专利]相变存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710136919.3 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101355137A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈维恕;陈颐承;许宏辉;李乾铭;赵得胜;陈志伟;蔡铭进 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华;彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器装置，包括：基板；电极层，形成于上述基板上；相变存储器结构，形成于上述电极层上，且电连接至上述电极层，其中上述相变存储器结构包括：杯形加热电极，设置于上述电极层上；绝缘层，沿第一方向设置于上述杯形加热电极上，且部分覆盖于上述杯形加热电极；电极结构，沿第二方向设置于上述杯形加热电极上，且部分覆盖于上述绝缘层和上述杯形加热电极；一对双层间隙壁，设置于上述电极结构的一对侧壁上，且部分覆盖于上述杯形加热电极，上述双层间隙壁包括相变材料间隙壁和绝缘材料间隙壁。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器装置，包括：基板；电极层，形成于该基板上；以及相变存储器结构，形成于该电极层上，且电连接至该电极层，其中该相变存储器结构包括：杯形加热电极，设置于该电极层上；绝缘层，沿第一方向设置于该杯形加热电极上，且部分覆盖该杯形加热电极；电极结构，沿第二方向设置于该杯形加热电极上，且部分覆盖该绝缘层和该杯形加热电极；一对双层间隙壁，设置于该电极结构的一对侧壁上，且部分覆盖该杯形加热电极，该双层间隙壁包括相变材料间隙壁和设置于其侧壁上的绝缘材料间隙壁。
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