[发明专利]高压晶体管的以及整合低压与高压晶体管的制造方法

摘要

一种具有双扩散漏极的高压晶体管的制造方法，其优点为利用定义栅极图案的原有光致抗蚀剂来作为定义双扩散漏极的光致抗蚀剂，而不增加工艺的复杂度。先在衬底上依序形成介电层与导电层，然后在导电层上形成图案化的光致抗蚀剂。以光致抗蚀剂为蚀刻掩模来蚀刻导电层与介电层，以在衬底上形成栅极与栅介电层。稳定光致抗蚀剂的结构之后，进行第一离子掺杂工艺，以在栅极两侧的衬底中分别形成深结轻掺杂区。去除上述的光致抗蚀剂，再形成二间隙壁于栅极的侧壁。接着，进行第二离子掺杂工艺，以在间隙壁外侧的衬底中分别形成重掺杂区。本发明还涉及一种低压晶体管与具有双扩散漏极的高压晶体管的整合制造方法。

主权项

1.一种具有双扩散漏极的高压晶体管的制造方法，包括：依序形成一介电层与一导电层于一衬底上；形成图案化的一光致抗蚀剂于该导电层上；蚀刻暴露出的该导电层及其下的该介电层，以形成一栅极与一栅介电层于该衬底上；稳定该光致抗蚀剂的结构；进行一第一离子掺杂工艺，以在该栅极两侧的该衬底中分别形成一深结轻掺杂区；去除该光致抗蚀剂；形成二间隙壁于该栅极的侧壁；以及进行一第二离子掺杂工艺，以在该些间隙壁的外侧衬底中形成重掺杂区，该第二离子掺杂工艺的离子掺杂能量小于该第一离子掺杂工艺的离子掺杂能量，该些深结轻掺杂区的离子掺杂浓度小于该些重掺杂区的离子掺杂浓度。