[发明专利]金属氧化物半导体元件有效
| 申请号： | 200710137187.X | 申请日： | 2007-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101359687A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 郑志男 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体元件，包含有具有第一导电类型的半导体基底、源极区域、栅极结构以及具有第二导电类型的漏极区域。栅极结构本质上平行于第一方向而设置于半导体基底上。漏极区域与源极区域皆设置于半导体基底中，分别位于栅极结构的相对二侧。源极区域包含有至少一具有第二导电类型的源极掺杂区与至少一具有第一导电类型的源极接触区，且源极接触区与源极掺杂区沿着第一方向而交替排列。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体元件，包含有：半导体基底，其具有第一导电类型；栅极结构，本质上平行于第一方向而设置于该半导体基底上；漏极区域，其具有第二导电类型，设置于该半导体基底中；以及源极区域，设置于该半导体基底中，且该漏极区域与该源极区域位于该栅极结构的相对二侧，该源极区域包含有：至少一具有该第二导电类型的源极掺杂区，设置于该栅极结构的一侧；以及多个具有该第一导电类型的源极接触区，且该源极接触区与该源极掺杂区沿着该第一方向而交替排列。
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