[发明专利]非易失性存储装置以及对其中的多级单元进行编程的方法无效

专利信息
申请号: 200710138072.2 申请日: 2007-08-08
公开(公告)号: CN101211660A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 王钟铉;朴世泉;朴成勋 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/24
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨林森
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的非易失性存储装置包括页面缓冲器,该页面缓冲器具有位线选择电路,第一寄存器,第二寄存器,数据比较电路,第一位线电压控制器以及第二位线电压控制器。位线选择电路选择性耦接某一位线至感测节点。第一寄存器与第二寄存器储存给定的数据。数据比较电路比较储存于第一寄存器中的数据与储存于第二寄存器中的数据,并传送比较结果至感测节点。第一位线电压控制器依据储存于第一寄存器中的数据的电压电平,施加低电平的电压至位线。第二位线电压控制器依据储存于第二寄存器中的数据,施加高电平的选择的第一电压至位线。
搜索关键词: 非易失性 存储 装置 以及 中的 多级 单元 进行 编程 方法
【主权项】:
1.一种非易失性存储装置,包括:存储单元阵列,用于储存数据;页面缓冲器,经由至少第一与第二位线而耦接至所述存储单元阵列;其中所述页面缓冲器包括:位线选择电路,配置成选择性耦接所述第一或第二位线至感测节点;第一寄存器与第二寄存器,配置成储存给定的数据;数据比较电路,配置成比较储存于所述第一寄存器中的数据与储存于所述第二寄存器中的数据,并传送比较结果至所述感测节点;第一位线电压控制器,配置成依据储存于所述第一寄存器中的数据的电压电平施加第一电压至所选择的位线;以及第二位线电压控制器,配置成依据储存于所述第二寄存器中的数据施加高于所述第一电压的第二电压至所选择的位线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710138072.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top