[发明专利]在半导体器件上形成电感器的方法

摘要

一种在半导体器件上形成电感器的方法，包括在硅半导体衬底上顺序形成防蚀膜、第一层间绝缘膜和具有第一孔的第一硬掩模薄膜；在第一硬掩模薄膜上形成第二层间绝缘膜；在第二层间绝缘膜上形成第二硬掩模薄膜；在第二硬掩模薄膜上形成具有用于形成开口的沟槽的光致抗蚀剂图案；去除部分第二硬掩模薄膜和部分第二层间绝缘膜，在第二层间绝缘膜上形成第一沟槽；去除光致抗蚀剂图案和第一沟槽中产生的聚合物；蚀刻第二层间绝缘膜，暴露出第一硬掩模薄膜，在第二层间绝缘膜上形成第二沟槽，蚀刻第一层间绝缘膜，暴露出防蚀膜，在第一层间绝缘膜上形成第二孔；去除第二沟槽和第二孔中产生的聚合物。该方法有效去除UTM蚀刻工艺期间产生的大量聚合物。

主权项

1.一种在半导体器件中形成电感器的方法，所述方法包括：在硅半导体衬底上顺序形成防蚀膜、第一层间绝缘膜、以及第一硬掩模薄膜；选择性蚀刻所述第一硬掩模薄膜以形成第一孔；在所述第一硬掩模薄膜上形成第二层间绝缘膜；在所述第二层间绝缘膜上形成第二硬掩模薄膜；在所述第二硬掩模薄膜上形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案具有用于形成沟槽的开口；通过使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来去除部分所述第二硬掩模薄膜和部分所述第二层间绝缘膜，以在所述第二层间绝缘膜上形成第一沟槽；去除所述光致抗蚀剂图案和在所述第一沟槽中产生的聚合物；通过使用所述第二硬掩模薄膜作为蚀刻掩模来蚀刻所述第二层间绝缘膜，直到所述第一硬掩模薄膜被暴露出来，以在所述第二层间绝缘膜上形成第二沟槽，随后，通过使用所述第一硬掩模薄膜和所述第二硬掩模薄膜作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一层间绝缘膜，直到所述防蚀膜被暴露出，以在所述第一层间绝缘膜上形成第二孔；以及去除在所述第二沟槽和所述第二孔中产生的聚合物。