[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710138261.X | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101159256A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;杰克·A.·曼德尔曼;李伟健 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/11;H01L21/768;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，其包含位于半导体衬底中并且通过其间的隔离区域彼此隔离的第一和第二有源器件区域，同时该半导体器件包括宽度为大约20nm到大约40nm的第一亚光刻互连结构，用于将第一有源器件区域与第二有源器件区域连接。该半导体器件优选包含至少一个位于半导体衬底中的静态随机存取存储器(SRAM)单元，而且第一亚光刻互连结构直接将SRAM单元的第一下拉晶体管和其第一上拉晶体管直接交叉连接，而在它们之间没有任何金属触点。第一亚光刻互连结构可以通过光刻构图掩模层，然后利用自组装嵌段共聚物或电介质侧壁间隔件形成亚光刻特征来很容易形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括位于半导体衬底中并且通过其间的隔离区域彼此隔离的第一和第二有源器件区域，其中所述半导体器件包括宽度为大约20nm到大约40nm的第一亚光刻互连结构，并且其中所述第一亚光刻互连结构将第一有源器件区域与第二有源器件区域连接。
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