[发明专利]半导体排放气体处理装置无效

专利信息
申请号: 200710138266.2 申请日: 2007-07-31
公开(公告)号: CN101357295A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 今村启志 申请(专利权)人: 康肯科技股份有限公司
主分类号: B01D53/74 分类号: B01D53/74;F23G7/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 何腾云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体排放气体处理装置,该半导体排放气体处理装置可以高效而且可靠地将半导体排放气体分解使其无害化,而且维护保养性优异。其特征在于,设有反应炉(14),反应炉(14)由筒状的反应炉本体(30)、电加热器(32)和气体导入管(34)构成;反应炉本体设有在由耐火材料围着的内部将半导体排放气体X热分解的排放气体处理室(38),而且在底部的相互接近的位置开设有气体导入口(40)和气体排出口(42);电加热器对排放气体处理室进行加热;气体导入管把半导体排放气体导入排放气体处理室的上部,其上端配设在排放气体处理室的上部,而且其下端向反应炉本体的外部突出地插入气体导入口。
搜索关键词: 半导体 排放 气体 处理 装置
【主权项】:
1.一种半导体排放气体处理装置,其特征在于,设有反应炉,所述反应炉由筒状的反应炉本体、电加热器和气体导入管构成;所述反应炉本体设有在由耐火材料围着的内部将半导体排放气体热分解的排放气体处理室,而且在底部的相互接近的位置开设有气体导入口和气体排出口;所述电加热器对所述排放气体处理室进行加热;所述气体导入管把所述半导体排放气体导入所述排放气体处理室的上部,其上端配设在所述排放气体处理室的上部,而且其下端向所述反应炉本体的外部突出地插入所述气体导入口。
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