[发明专利]设计具有个别VSS的静态随机存取存储器有效
| 申请号： | 200710138365.0 | 申请日： | 2007-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101256832A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 黄怀莹;陈炎辉;吴瑞仁;王屏薇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛宝成;黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种排列成多个列与多个行的静态随机存取存储器(SRAM)存储单元的阵列，包含多个VSS线连接至所述静态随机存取存储器存储单元的VSS节点，每一VSS线连接至同一行的所述静态随机存取存储器存储单元。此多个VSS线包含连接至所述静态随机存取存储器存储单元第一行的第一VSS线；以及连接至所述静态随机存取存储器存储单元第二行的第二VSS线，其中第一VSS线与第二VSS线不互相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 具有 个别 vss 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种排列成多个列与多个行的静态随机存取存储器存储单元的阵列，其中，该阵列包含：多个VSS线，连接至所述静态随机存取存储器存储单元的VSS节点，每一VSS线连接至同一行的所述静态随机存取存储器存储单元，该多个VSS线包含：一第一VSS线，连接至所述静态随机存取存储器存储单元的一第一行；以及一第二VSS线，连接至所述静态随机存取存储器存储单元的一第二行，其中，该第一VSS线与该第二VSS线互相不连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710138365.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
