[发明专利]一种电荷捕捉式存储器结构及其程序化的方法有效
| 申请号： | 200710138732.7 | 申请日： | 2007-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101299350A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种以开启模式辅助电荷操作于电荷捕捉式存储器的高速程序化及擦除的方法。电荷捕捉式存储器包括一电荷捕捉结构位于一衬底之上，且衬底具有一源极区和一漏极区。电荷捕捉结构包括一电荷捕捉层位于一介电层之上。电荷捕捉层具有一辅助电荷点(即第一电荷捕捉点)和一数据点(即第二电荷捕捉点)。首先，使电荷捕捉式存储单元进入一开启模式操作状态，电荷捕捉式存储单元的辅助电荷点和数据点皆以富勒－诺德汉注入进行擦除至一负临界电压(－Vt)，以使在源极区与漏极区之间诱发出一空穴电荷诱发沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 捕捉 存储器 结构 及其 程序化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对电荷捕捉式存储器进行程序化的方法，该电荷捕捉式存储器具有多个电荷捕捉式存储单元，所述电荷捕捉式存储单元包括一第一电荷捕捉点、一第二电荷捕捉点、一源极区、以及一漏极区，该方法包括：利用富勒-诺德汉注入的方式擦除各电荷捕捉式存储单元中的所述第一电荷捕捉点和所述第二电荷捕捉点至一负临界电压；以及程序化所述第一电荷捕捉点至一高临界电压，使各电荷捕捉式存储单元中的所述第一电荷捕捉点具有永久电荷，各电荷捕捉式存储单元中的所述第二电荷捕捉点仍维持所述负临界电压；其中，各电荷捕捉式存储单元的所述第一电荷捕捉点并非用于储存信息，各电荷捕捉式存储单元的所述第二电荷捕捉点用于储存信息。
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