[发明专利]垂直机电存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710139012.2 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101123256A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 尹恩贞;李成泳;金旻相;金成玟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;冯敏 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储器件及形成存储器件的方法，该器件包括：基底；第一电极，在相对于基底的垂直方向上延伸；第二电极，在相对于基底的垂直方向上延伸，第二电极通过电极间隙与第一电极分隔开。第三电极设置成在电极间隙中沿着垂直方向延伸，第三电极通过第一间隙与第一电极分隔开，第三电极通过第二间隙与第二电极分隔开，第三电极可弹性地变形，使得第三电极偏斜以穿过第一间隙在第一弯曲位置与第一电极电连接，穿过第二间隙在第二弯曲位置与第二电极电连接，并在静止位置与第一电极和第二电极隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 机电 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：基底；第一电极，在相对于基底的垂直方向上延伸；第二电极，在相对于基底的垂直方向上延伸，第二电极通过电极间隙与第一电极分隔开；第三电极，在电极间隙中沿着垂直方向延伸，第三电极通过第一间隙与第一电极分隔开，第三电极通过第二间隙与第二电极分隔开，第三电极可弹性地变形，使得第三电极偏斜以穿过第一间隙在第一弯曲位置与第一电极电连接，穿过第二间隙在第二弯曲位置与第二电极电连接，并在静止位置与第一电极和第二电极隔离。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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