[发明专利]制作氮化镓系基板的方法无效
| 申请号： | 200710139135.6 | 申请日： | 2007-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101355122A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈政权 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制作氮化镓系基板的方法，先进行准备步骤准备一块磊晶成长氮化镓系材料的磊晶基板，接着以凸块形成步骤自磊晶基板向上形成多个呈现间隔散布且主要由氮化镓系材料构成的凸块，再以横向磊晶步骤自凸块端部横向磊晶成长形成一层基础层，然后以增厚步骤累积增厚基础层至不小于500μm而成该氮化镓系基板，最后以温度变化步骤，自实施增厚步骤的温度范围降温而使该氮化镓系基板与磊晶基板释出热应力进而破坏该多个凸块的墩部，进而直接分离磊晶基板与氮化镓系基板，得到厚度在500μm以上的氮化镓系基板。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 氮化 镓系基板 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作氮化镓系基板的方法；其特征在于，包含：一个准备步骤，准备一块用于磊晶成长氮化镓系材料的磊晶基板，一个凸块形成步骤，自该块磊晶基板向上形成多个呈现间隔散布且主要由氮化镓系材料构成的凸块，该每一凸块具有一自该磊晶基板向上形成的墩部，及一自该墩部向上形成的端部，一个横向磊晶步骤，自该多个凸块的端部横向磊晶成长形成一层连接该多个凸块端部并与该磊晶基板、多个凸块的墩部共同界定出一空间的氮化镓系材料的基础层，一个增厚步骤，累积增厚该基础层至不小于500微米而成该氮化镓系基板，及一个温度变化步骤，自该增厚步骤实施的温度范围降温，使该氮化镓系基板与磊晶基板释出热应力而破坏该多个凸块的墩部，进而使该磊晶基板与该氮化镓系基板分离制得该氮化镓系基板。
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