[发明专利]供半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合及其制程有效
| 申请号： | 200710139180.1 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101350388A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗良;程志青 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合及其制程。本发明的半导体结构组合包含一基板及一半导体材料。该基板具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁提供该半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部提供该半导体材料中的一第二磊晶晶体往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域提供该半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体往该第一从优取向成长的至少一个第三成核点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 组件 磊晶用 结构 组合 及其 | ||
【主权项】：
1、一种供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合，其特征在于，所述半导体结构组合包含：一基板，所述基板具有一上表面以及形成于所述上表面上的一凹陷，其中所述凹陷的侧壁提供一半导体材料往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点，所述凹陷的一底部提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的一第二成核点，邻接所述凹陷的平坦区域提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的至少一个第三成核点；所述半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体，所述第一磊晶晶体在所述第一成核点成核并且在一第一制程条件下往所述第一从优取向成长；所述半导体材料中的一第二磊晶晶体，所述第二磊晶晶体在所述第二成核点成核并且在所述第一制程条件下往所述第一从优取向成长；以及所述半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体，所述第三磊晶晶体在所述第三成核点成核并且在所述第一制程条件下往所述第一从优取向成长；其中在所述第一制程条件下，所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体的成长抑制所述至少一个第一磊晶晶体的成长。
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