[发明专利]用于检测薄膜晶体管基底的缺陷的模块和方法无效

专利信息
申请号: 200710139196.2 申请日: 2007-07-27
公开(公告)号: CN101114005A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 李洪雨;许命九;李钟焕;金圣万;李钟赫 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02;G01R19/00;G02F1/13;G09G3/36
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;韩素云
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种用于检测薄膜晶体管(TFT)基底的缺陷的模块和方法,该模块和方法可检测TFT基底的栅极线的断开,其中,TFT基底具有设置有其中栅极驱动器设置在栅极线的两侧的双结构(dual structure)的栅极驱动器。提供了一种用于检测TFT基底的缺陷的模块和方法,其中,通过分割栅极线的中心区域而将栅极线分为两部分,通过设置在栅极线的两侧的栅极驱动器向其中心部分被分割的栅极线提供栅极电源,向数据线提供负电压电平的信号,从而可检测栅极线的断开。
搜索关键词: 用于 检测 薄膜晶体管 基底 缺陷 模块 方法
【主权项】:
1.一种被构造为检测薄膜晶体管基底的缺陷的模块,其中,所述薄膜晶体管基底包括多条数据线、多条栅极线和多个像素电极,所述模块包括:数据信号发生器,用于向所述数据线提供测试数据信号;运行信号发生器,用于向第一栅极驱动器和第二栅极驱动器提供运行信号,其中,每条栅极线被分为与所述第一栅极驱动器连接的第一部分和与所述第二栅极驱动器连接的第二部分;检测器,用于测量至少一个所述像素电极的电压电平。
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