[发明专利]一种制备铟柱的方法

摘要

本发明公开了一种制备铟柱的方法，它应用于半导体器件和电路制备工艺。本发明的方法包括工艺流程为芯片处理、前烘、涂胶、对位、曝光、显影、坚膜的正性胶光刻工艺以及工艺流程为芯片处理、装片、抽真空、蒸发、取片、剥离的电子束蒸发铟膜和微超声剥离技术，在进行涂胶工序时，在正性胶涂层中间制备一层金属膜或者其它介质膜，使涂层成为“正性胶厚层－介质或金属膜－正性胶薄层”的结构；然后将上层的薄胶光刻成图形，再用湿法腐蚀掉图形窗口内的介质或金属膜，最后将底层的厚胶通过显影方法去除干净并采用电子束蒸发铟膜、铟膜微超声波剥离技术对铟膜进行剥离。采用本发明的技术制备的铟柱的形貌的精确度明显高于用现有技术制备的铟柱的形貌。

主权项

1.一种制备铟柱的方法，包括工艺流程为芯片处理、前烘、涂胶、对位、曝光、显影、坚膜的正性胶光刻工艺以及工艺流程为芯片处理、装片、抽真空、蒸发、取片、剥离的电子束蒸发铟膜和微超声剥离技术，其特征在于：在进行正性胶光刻工艺涂胶工序时，在正性胶涂层中间制备一层金属膜或者其它介质膜，使涂层成为“正性胶厚层-介质或金属膜-正性胶薄层”的结构；然后将上层的薄胶光刻成图形，腐蚀掉图形窗口内的介质或金属膜，再将底层的厚胶通过显影方法去除干净；然后采用电子束蒸发铟膜，并采用铟膜微超声波剥离技术对铟膜进行剥离。