[发明专利]实现具有改进硅化物控制的双应力层的结构和方法无效
| 申请号： | 200710139706.6 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101114615A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李永明;杨海宁;陈永聪;林荣华 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;特许半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法的示例性实施例包括以下步骤。提供具有第一器件区域和第二器件区域的衬底。在第一器件区域中提供第一类型FET晶体管，并且在第二器件区域中提供第二类型FET晶体管。在第一和第二器件区域之上形成蚀刻停止层，并且在第一器件区域之上形成第一应力层。第一应力层对第一器件区域中的衬底施加第一类型应力。在第二器件区域之上形成第二应力层。第二应力层对第二器件区域中的衬底施加第二类型应力。另一个示例性实施例是具有蚀刻停止层的双应力层器件的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 具有 改进 硅化物 控制 应力 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：a)提供具有第一器件区域和第二器件区域的衬底；在所述第一器件区域中提供第一类型FET晶体管，并且在所述第二器件区域中提供第二类型FET晶体管；b)在所述第一和第二器件区域之上形成蚀刻停止层，并且在所述第一器件区域之上形成第一应力层；所述第一应力层对所述第一器件区域中的所述衬底施加第一类型应力；c)在所述第二器件区域之上形成第二应力层；d)所述第二应力层对所述第二器件区域中的所述衬底施加第二类型应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司;特许半导体制造有限公司，未经国际商业机器公司;特许半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710139706.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗脚气病的中药
- 下一篇：具有锁定机构的连接装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
