[发明专利]像素结构及其制作方法

摘要

本发明主要是提供一种像素结构及其制作方法，其特别是先在栅极介电层形成后覆盖由钼所构成的导电层、氧化硅所构成的介电层以及铝层于栅极介电层上，然后进行等向性蚀刻工艺，以同时在水平及垂直方向均匀去除部分该铝层。本发明可通过此制作方法来将公知在形成源极/漏极区域前所需要的三道掩模简化为两道，进而达到节省成本的目的。根据本发明另一个实施例，本发明又可在制作电容时在电容电极(亦即上述由钼所构成的导电层)上形成由氧化硅及铝层所构成的堆叠结构，并通过这两层堆叠的结构来提升电容的储存能力。

主权项

1.一种制作像素结构的方法，包括：提供基底，该基底上具有至少一晶体管区以及电容区；分别形成图案化半导体层于该晶体管区及该电容区；形成栅极介电层于该基底表面并覆盖该图案化半导体层；依序形成导电层、介电层以及电极层于该基底上；形成多个图案化光致抗蚀剂层于该晶体管区及该电容区的该电极层表面；进行等向性蚀刻工艺，利用该多个图案化光致抗蚀剂层当作掩模，以同时于水平及垂直方向均匀去除部分该电极层；进行第一蚀刻工艺，利用该多个图案化光致抗蚀剂层当作掩模去除部分该介电层及该导电层；进行第一离子注入工艺，利用该多个图案化光致抗蚀剂层当作掩模，以于该晶体管区的该图案化半导体层中形成源极/漏极区域；去除该晶体管区的该图案化光致抗蚀剂层；进行第二蚀刻工艺，利用该图案化电极层当作掩模，去除部分该介电层及该导电层；进行第二离子注入工艺，利用该多个图案化光致抗蚀剂层当作掩模，以于每个该晶体管区的该图案化半导体层中形成轻掺杂源极/漏极；进行第三蚀刻工艺，利用该电容区的该图案光致抗蚀剂层当作掩模去除该晶体管区的该电极层；去除该电容区的该图案化光致抗蚀剂层；形成第一介电层于该基底上，并形成多个第一接触洞于该第一介电层中；形成图案化金属层于该第一介电层上并填满每个该第一接触洞，以形成多条第一导线；形成第二介电层于该多个第一导线上，并形成多个第一开口于该第二介电层中；以及形成图案化透明导电层于该第二介电层上并填满每个该第一开口，以形成多个像素电极。