[发明专利]去除光掩模中雾的装置及除去光掩模中雾的方法无效
申请号: | 200710140084.9 | 申请日: | 2007-08-14 |
公开(公告)号: | CN101211102A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 金文植 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/40 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 许向华;彭久云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种去除光掩模中雾(haze)的装置,其包括:具有烘烤模块的密封的腔体,该烘烤模块安置在其中以支撑光掩模;反应气体供应管道,以供应反应气体到腔体中;和排放器件,以排放腔体中的杂质到外部。本发明还涉及一种去除光掩模中雾的方法,包括:加载光掩模到腔体中;提升加载的光掩模的温度高于预定温度;供应反应气体到腔体中,由此反应气体和出现在升温的光掩模上的杂质发应以形成反应产物;和排出反应气体和杂质的反应产物到腔体外部。 | ||
搜索关键词: | 去除 光掩模中雾 装置 除去 方法 | ||
【主权项】:
1.一种去除光掩模中雾的装置,包括:腔体;烘烤模块,安置在腔体中以支撑光掩模;反应气体供应管道,以供应反应气体到该腔体中;和排放器件,以排放腔体内的杂质到该腔体的外部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710140084.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:实时操作系统的任务管理方法、装置及实时操作系统
- 下一篇:电梯导轨清洗装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备