[发明专利]刻蚀远紫外光(EDV)光掩模的方法有效
| 申请号： | 200710140139.6 | 申请日： | 2007-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101144973A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴半秋;马德哈唯·R·钱德拉乔德;阿杰伊·库玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了刻蚀EUV光掩模的方法的实施方式。在一个实施方式中，刻蚀远紫外光掩模的方法包括提供光掩模，所述光掩模依次包括衬底、多材料层、覆盖层和多层吸收层，所述多层吸收层包括在体吸收层上沉积的自掩模层，其中所述自掩模层包括钽和氧而所述体吸收层包括钽且基本不含氧；使用第一刻蚀工艺刻蚀自掩模层；以及使用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺刻蚀所述体吸收层，其中在第二刻蚀工艺期间所述体吸收层的刻蚀速率大于所述自掩模层的刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 紫外光 edv 光掩模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀远紫外光掩模的方法，包括：提供光掩模，所述光掩模依次包括衬底、多材料层、覆盖层和多层吸收层，所述多层吸收层包括在体吸收层上沉积的自掩模层，其中所述自掩模层包括钽和氧而所述体吸收层包括钽且基本不含氧；使用第一刻蚀工艺刻蚀所述自掩模层；以及使用不同于所述第一蚀刻工艺的第二刻蚀工艺刻蚀所述体吸收层，其中在所述第二刻蚀工艺期间所述体吸收层的刻蚀速率大于所述自掩模层的刻蚀速率。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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