[发明专利]多接地屏蔽的半导体封装、其制造方法及防止噪声的方法无效

专利信息
申请号: 200710140216.8 申请日: 2007-08-03
公开(公告)号: CN101174611A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 宋垠锡;李希裼 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/60;H05K1/18;H05K1/02;H05K3/32;H05K9/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;刘奕晴
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种多接地屏蔽的半导体封装,该封装包括模拟电路块和数字电路块,并能防止高频噪声导致的模拟电路块和数字电路块之间的耦合问题。本发明还提供了一种制造多接地屏蔽的半导体封装的方法和一种防止多接地屏蔽的半导体封装中的噪声的方法。该多接地屏蔽的半导体封装包括:至少一个半导体芯片;电路板,半导体芯片安装在电路板上,多个电路块形成在电路板上,其中,独立于电路块的地端在电路块之间形成导电接地屏蔽,以防止电路块之间的噪声。
搜索关键词: 接地 屏蔽 半导体 封装 制造 方法 防止 噪声
【主权项】:
1.一种多接地屏蔽的半导体封装,包括:至少一个半导体芯片;电路板,所述半导体芯片安装在所述电路板上,所述电路板包括多个电路块;导电接地屏蔽,设置在所述电路块之间,并独立于所述电路块的地端设置。
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