[发明专利]磁头和信息存储装置无效

专利信息
申请号: 200710140241.6 申请日: 2007-08-06
公开(公告)号: CN101136208A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 三宅裕子;松冈正昭 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了磁头和信息存储装置。该磁头包括:磁极,其被放置成与记录介质的表面相对,并且在沿着所述表面的方向上相对于所述表面移动,该磁极产生与所述记录介质的所述表面相交的磁力线;和线圈,其对所述磁极励磁。所述磁极具有在沿着相对于所述记录介质的所述表面移动的方向上彼此堆叠的多个层,并且所述多个层包括:最前层,其位于所述移动的最前方位置并且包含第一磁性材料;和最后层,其位于所述移动的最后方位置并且包含第二磁性材料,所述第二磁性材料的饱和磁通量密度高于所述第一磁性材料的饱和磁通量密度并且所述第二磁性材料的矫顽磁力大于所述第一磁性材料的矫顽磁力。
搜索关键词: 磁头 信息 存储 装置
【主权项】:
1.一种磁头,该磁头包括:磁ž,其被放置成面对记录介质的表面,并且在沿着所述表面的方向上相对于所述表面移动,所述磁极产生与所述记录介质的所述表面相交的磁力线;和线圈,其对所述磁极励磁,其中,所述磁极具有在沿着相对于所述记录介质的所述表面移动的方向上彼此堆叠的多个层,并且所述多个层包括:最前层,其位于所述移动的最前方位置并且包含第一磁性材料;和最后层,其位于所述移动的最后方位置并且包含第二磁性材料,所述第二磁性材料的饱和磁通量密度高于所述第一磁性材料的饱和磁通量密度并且所述第二磁性材料的矫顽磁力大于所述第一磁性材料的矫顽磁力。
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