[发明专利]等离子体处理装置用的载置台及等离子体处理装置有效
申请号: | 200710140388.5 | 申请日: | 2007-08-10 |
公开(公告)号: | CN101123201A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 松山昇一郎;桧森慎司;松浦淳 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/00;C23C16/458;C23C16/513;H01J37/32;H05H1/24 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置,该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度,由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置(2)用的载置台(3),包括:导电体部件,兼作等离子体生成用等的下部电极(31);电介质层(32),覆盖该导电体部件的上表面中央部并通过被处理基板(晶片W)使施加在等离子体的高频电场均匀化;以及静电卡盘(33),在该电介质层(32)上层叠并埋设有静电卡盘用的电极膜(35)。在此,电极膜35满足条件δ/z≥1000(z,电极膜(35)的厚度;δ,电极膜(35)相对于从高频电源(61a)供给的高频电力的趋肤深度)。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 载置台 | ||
【主权项】:
1.一种用于在载置面上载置被处理基板的等离子体处理装置用载置台,其特征在于,包括:导电体部件,与高频电源连接,兼作等离子体生成或等离子体中的离子注入用的电极;电介质层,设置为覆盖该导电体部件的上表面中央部,使通过被处理基板向等离子体施加的高频电场均匀化;以及静电卡盘,层叠在所述电介质层之上,并埋设有满足以下条件的静电卡盘用的电极膜,所述电极膜满足以下条件:δ/z≥1000,其中,δ=(2/ωμσ)1/2,ω=2πf,σ=1/ρ其中,z为静电卡盘用的电极膜的厚度;δ为与从高频电源供给的高频电力对应的静电卡盘用的电极膜的趋肤深度;f为从高频电源供给的高频电力的频率;π为圆周率;μ为静电卡盘用的电极膜的磁导率;ρ为静电卡盘用的电极膜的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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