[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710140899.7 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123249A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 韩载元 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/34;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该装置包括内插板；多个器件，堆叠于该内插板之上；冷却器，设置在至少一个器件内，该冷却器包括冷却材料通道；以及，连接电极，设置在这些器件之间，用于将上层器件内的信号电极与下层器件内的信号电极连接起来。根据本发明的半导体装置及其制造方法，热量可以很容易地从SiP半导体装置散发出来。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：内插板；多个器件，所述多个器件堆叠于所述内插板之上；冷却器，在所述多个器件中的至少一个器件内设有所述冷却器，所述冷却器包括冷却材料通道；以及连接电极，设置在各所述多个器件之间，用于将上层器件内的信号电极与下层器件内的信号电极连接起来。
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