[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 200710140899.7 | 申请日: | 2007-08-10 |
公开(公告)号: | CN101123249A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 韩载元 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/34;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该装置包括内插板;多个器件,堆叠于该内插板之上;冷却器,设置在至少一个器件内,该冷却器包括冷却材料通道;以及,连接电极,设置在这些器件之间,用于将上层器件内的信号电极与下层器件内的信号电极连接起来。根据本发明的半导体装置及其制造方法,热量可以很容易地从SiP半导体装置散发出来。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种装置,包括:内插板;多个器件,所述多个器件堆叠于所述内插板之上;冷却器,在所述多个器件中的至少一个器件内设有所述冷却器,所述冷却器包括冷却材料通道;以及连接电极,设置在各所述多个器件之间,用于将上层器件内的信号电极与下层器件内的信号电极连接起来。
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