[发明专利]磁单元和磁存储器无效
| 申请号： | 200710140950.4 | 申请日： | 2003-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101114694A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 中村志保;羽根田茂;大沢裕一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/15;G11C11/16;H01F10/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备：磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1)；磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2)；设置在上述第1和第2强磁性层之间，磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A)；设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1)；设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁单元，其特征在于包括：第一铁磁层，其磁化被基本固定在与第一铁磁层的薄膜平面基本垂直的第一方向上；第二铁磁层，其磁化被基本固定在与第一方向相反的第二方向上；设置于第一和第二铁磁层之间的第三铁磁层，该第三铁磁层的磁化方向是可变的；设置于第一和第三铁磁层之间的第一中间层；和设置于第二和第三铁磁层之间的第二中间层，其中第三铁磁层的磁化方向在第一和第二铁磁层之间有电流通过时第三铁磁层上的自旋极化电子的影响下被确定。
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