[发明专利]磁性存储元件、磁性存储器和驱动磁性存储器的方法无效
| 申请号： | 200710141062.4 | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101131866A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 北川英二;吉川将寿;岸达也;与田博明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁性存储元件、磁性存储器和驱动磁性存储器的方法。在执行读取时可以防止不经意的写入。用于在磁性存储层中写入信息的写入电流脉冲的持续时间比用于从磁性存储层读取信息的读取电流脉冲的持续时间长。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 元件 存储器 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于驱动磁性存储器的方法，该磁性存储器包括具有磁性存储元件的存储单元，该磁性存储元件包括磁化方向被固定的磁化参考层、磁化方向可变的磁性存储层、和介于磁化参考层和磁性存储层之间的隧道势垒层，所述磁性存储层的磁化方向可以通过施加电流脉冲和注射自旋极化的电子到磁性存储层中来改变，该方法包括：施加用于在磁性存储层中写入信息的写入电流脉冲；以及施加用于从磁性存储层读取信息的读取电流脉冲，其中写入电流脉冲的持续时间比读取电流脉冲的持续时间长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710141062.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
