[发明专利]存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储器的制造方法。首先，提供其上已依序形成有穿隧介电层、第一导体层与掩模层的基底。图案化掩模层、第一导体层、穿隧介电层与基底，于基底中形成沟渠。之后，于沟渠表面形成保护层。形成隔离结构，以填满沟渠，隔离结构的蚀刻速率大于保护层的蚀刻速率。然后，移除掩模层，以暴露出第一导体层。于第一导体层上形成第二导体层。之后，移除部分隔离结构，使其表面低于基底的表面，以暴露出第一导体层与第二导体层的侧壁。继之，于暴露出的第一导体层与第二导体层的侧壁形成第三导体层。接着，于基底上形成栅间介电层及控制栅极。

主权项

1.一种存储器的制造方法，包括：提供基底，该基底上已依序形成有穿隧介电层、第一导体层和掩模层；图案化该掩模层、该第一导体层、该穿隧介电层和该基底，而于该基底中形成多个沟渠；于所述多个沟渠的表面形成保护层；形成多个隔离结构，以填满所述多个沟渠，其中所述隔离结构的蚀刻速率大于该保护层的蚀刻速率；移除该掩模层，以暴露出该第一导体层；于该第一导体层上形成第二导体层；移除部分所述隔离结构，使所述隔离结构的表面低于该基底的表面，以暴露出该第一导体层和该第二导体层的侧壁；于暴露出的该第一导体层和该第二导体层的侧壁形成第三导体层；图案化该第三导体层、该第二导体层和该第一导体层，以形成多个浮置栅极；于该基底上形成栅间介电层；以及于该基底上形成控制栅极。