[发明专利]使用无机氧化物磨料提高铜的平面化的组合物和方法无效
| 申请号： | 200710141292.0 | 申请日： | 2007-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101121865A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | T·M·托马斯 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/16;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可以在小于20.68千帕的向下压力之下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，所述水性组合物包含0.1－15重量％的氧化剂、0.001－5重量％的用于有色金属的抑制剂、0.001－10重量％的用于有色金属的络合剂、0.01－5重量％的羧酸聚合物、0.01－5重量％的改性纤维素、0.001－10重量％的含磷化合物、以及0.001－10重量％的勃姆石磨料，所述勃姆石加快了铜的平面化速率。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 无机 氧化物 磨料 提高 平面化 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可以在小于20.68千帕的向下压力之下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，所述水性组合物包含0.1-15重量％的氧化剂、0.001-5重量％的用于有色金属的抑制剂、0.001-10重量％的用于有色金属的络合剂、0.01-5重量％的羧酸聚合物、0.01-5重量％的改性纤维素、0.001-10重量％的含磷化合物、以及0.001-10重量％的勃姆石磨料，所述勃姆石加快了铜的平面化速率。
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