[发明专利]半导体激光装置及其制造方法

摘要

衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1－X1、X2∶1－X2、X3∶1－X3、X4∶1－X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。

主权项

1.一种半导体激光装置，其特征在于：在同一块衬底上设置了红色发光部和红外发光部，上述红色发光部，具有：由第一导电型AlGaInP系列材料形成的且有为注入电流设置的红色一侧条纹的第一包覆层、和由第二导电型AlGaInP系列材料形成的第二包覆层夹着由InGaP系列或AlGaInP系列材料形成的红色一侧活性层的双异质构造，上述红外发光部，具有：由第一导电型AlGaInP系列材料形成的且有为注入电流设置的红色一侧条纹的第三包覆层、和由第二导电型AlGaInP系列材料形成的第四包覆层夹着由GaAs系列或AlGaAs系列材料形成的红外一侧活性层的双异质构造，在上述第一包覆层、上述第二包覆层、上述第三包覆层以及上述第四包覆层中，设Al:Ga的组成比依次分别为X1∶1-X1、X2∶1-X2、X3∶1-X3、X4∶1-X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。