[发明专利]半导体激光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710141399.5 申请日: 2007-08-09
公开(公告)号: CN101123343A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 高山彻;佐藤智也;早川功一;木户口勋 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01S5/323 分类号: H01S5/323;H01S5/343;H01S5/227;H01S5/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器,制造工序简化,降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置,在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A),是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B),是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22),均为AlGaInP系列,Al∶Ga的组成比依次分别为:X1∶1-X1、X2∶1-X2、X3∶1-X3、X4∶1-X4时,满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
搜索关键词: 半导体 激光 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体激光装置,其特征在于:在同一块衬底上设置了红色发光部和红外发光部,上述红色发光部,具有:由第一导电型AlGaInP系列材料形成的且有为注入电流设置的红色一侧条纹的第一包覆层、和由第二导电型AlGaInP系列材料形成的第二包覆层夹着由InGaP系列或AlGaInP系列材料形成的红色一侧活性层的双异质构造,上述红外发光部,具有:由第一导电型AlGaInP系列材料形成的且有为注入电流设置的红色一侧条纹的第三包覆层、和由第二导电型AlGaInP系列材料形成的第四包覆层夹着由GaAs系列或AlGaAs系列材料形成的红外一侧活性层的双异质构造,在上述第一包覆层、上述第二包覆层、上述第三包覆层以及上述第四包覆层中,设Al:Ga的组成比依次分别为X1∶1-X1、X2∶1-X2、X3∶1-X3、X4∶1-X4时,满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
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