[发明专利]相变存储器的感测电路无效
申请号: | 200710141615.6 | 申请日: | 2007-08-17 |
公开(公告)号: | CN101369450A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 林烈萩;许世玄;江培嘉 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C11/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文;黄小临 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种相变存储器的感测电路,该感测电路包括一数据电流源与一参考电流源、一数据存储元件与一参考存储元件、一数据开关与一参考开关、一辅助电流源以及一比较器,该数据存储元件与该参考存储元件的第一端分别耦接至该数据电流源与该参考电流源,该数据开关与该参考开关分别耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第二端,该辅助电流源动态地耦接至该数据存储元件或该参考存储元件的第一端,该比较器耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第一端。 | ||
搜索关键词: | 相变 存储器 电路 | ||
【主权项】:
1.一种相变存储器的感测电路,包括:一数据电流源与一参考电流源;一数据存储元件与一参考存储元件,其第一端分别耦接至该数据电流源与该参考电流源;一数据开关与一参考开关,分别耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第二端;一辅助电流源,动态地耦接至该数据存储元件或该参考存储元件的第一端;以及一比较器,耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第一端。
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