[发明专利]磁阻元件和磁存储器有效
| 申请号： | 200710141632.X | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101162756A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 北川英二;永濑俊彦;吉川将寿;西山胜哉;岸达也;与田博明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16;H01F10/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱智勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻元件，其特征在于包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct(面心四方)晶体结构的自由层，该自由层具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层和第二非磁性层；和仅被设置在自由层的一侧和第一非磁性层的与具有自由层的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层，该固定层具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。
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