[发明专利]聚焦离子束装置、样品断面形成及薄片样品制备方法有效
| 申请号： | 200710141723.3 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101131909A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 田代纯一;一宫丰;藤井利昭 | 申请（专利权）人： | 精工电子纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/304 | 分类号： | H01J37/304;H01J37/28;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了聚焦离子束装置、样品断面形成及薄片样品制备方法。在通过扫描照射聚焦离子束刻蚀样品断面及其周边的同时，检测由照射聚焦离子束产生的二次电子。根据检测到的二次电子信号变化量，端点检测机构检测端点，由此停止刻蚀，从而即使使用没有SEM观察功能的FIB装置也可以有效检测缺陷或接触孔的中心位置。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦 离子束 装置 样品 断面 形成 薄片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用聚焦离子束装置相对于平行于样品表面的方向形成包含至少两种不同材料的样品断面的方法，使用聚焦离子束装置的该样品断面形成方法包含的步骤有：在通过扫描照射聚焦离子束对样品的期望区域进行刻蚀以形成垂直于样品表面的断面的同时，检测由照射聚焦离子束产生的二次带电粒子；以及检测基于所检测到的二次带电粒子的信号的变化量，并根据所述变化量终止刻蚀。
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