[发明专利]用于驱动发光二极管的方法及发光二极管有效
申请号: | 200710142015.1 | 申请日: | 2007-08-13 |
公开(公告)号: | CN101123292A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 琵琶刚志 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H05B37/02;G09G3/20;G09G3/32;G09G3/34;G09G3/36 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 董方源 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种用于驱动发光二极管的方法,其包括用等于或者小于20A/cm2的范围内的电流密度来调节发光二极管的亮度的步骤。发光二极管包括p型层、n型层和发光层,发光层被布置在p型层与n型层之间并且具有含铟量子阱结构。p型层、n型层和发光层中的每一个都包括具有纤锌矿型结构的氮基III-V族化合物半导体晶体。发光层具有相对于c平面以0.25°至2°的角度倾斜的主表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 驱动 发光二极管 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于驱动发光二极管的方法,所述发光二极管包括p型层、n型层和发光层,所述发光层被布置在所述p型层与所述n型层之间并且具有含铟量子阱结构,所述p型层、所述n型层和所述发光层中的每一个都包括具有纤锌矿型结构的氮基III-V族化合物半导体晶体,所述发光层具有相对于c平面以0.25°至2°的角度倾斜的主表面,所述方法包括用等于或者小于20A/cm2的范围内的电流密度来调节所述发光二极管的亮度的步骤。
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