[发明专利]半导体功率器件及其制造工艺

摘要

一种制造半导体功率器件的工艺，其步骤包括：提供由半导体材料制成的具有第一顶表面的主体；在第一顶表面附近内和主体有源部分内部形成具有第一导电类型的有源区；和形成边缘终端结构。边缘终端结构由以下部分形成：具有第一导电类型和第一掺杂等级的环形区，其设置于主体的外围边缘部分中并电连接有源区；和保护区，具有第一导电类型和比第一掺杂等级高的第二掺杂等级，其被设置在第一顶表面附近并连接有源区至环形区。该工艺还包括步骤：在第一顶表面上和外围边缘部分处形成具有第一导电类型的表面层，其与保护区接触；和以蚀刻终止于保护区内部的方式蚀刻该表面层，以去除其在边缘部分上方的部分。

主权项

1.一种制造半导体功率器件的工艺，其包括：提供由半导体材料制成的具有第一顶表面(3a)的主体(3)；在所述第一顶表面(3a)的附近内和在所述主体(3)的有源部分(1a)内部形成具有第一导电类型的有源区(4a；29，30)；和形成边缘终端结构(4b，5)，其包括具有所述第一导电类型和第一掺杂等级的环形区(50)，该环形区被设置在所述主体(3)的外围边缘部分(1b)内部并且电连接到所述有源区，其特征在于形成边缘终端结构的所述步骤还包括在所述第一顶表面(3a)附近内形成保护区(4b)，其具有所述第一导电类型和比所述第一掺杂等级高的第二掺杂等级，并且连接所述有源区(4a；29，30)至所述环形区(5)；并且其特征在于还包括：在所述第一顶表面(3a)上在所述外围边缘部分(1b)处形成具有所述第一导电类型的表面层(9)，其与所述保护区接触；和以在所述保护区(4b)内部终止蚀刻的方式蚀刻所述表面层(9)，以去除在所述边缘部分(1b)上方的表面层(9)。