[发明专利]用于升压型直流－直流转换器内的半导体装置和该转换器

摘要

公开了在使用中能够满足装置功率需求和具有高效率的电源装置。该电源装置包括第一电源；提高第一电源输出电压的电压升压单元；降低电压升压单元的输出电压的电压降压单元；以及通过电压降压单元的输出电压驱动工作的负载。所述电压升压单元将第一电源的输出电压提升至电压降压单元操作电压的下限值。

主权项

1.一种用于升压型DC-DC转换器的半导体装置，包括：开关元件；与该开关元件形成在相同半导体衬底上的二极管元件；开关端子；以及输出端子，其中该开关元件包括具有由LDMOS栅电极下的沟道扩散层的表面部分形成的沟道区域的LDMOS晶体管，所述LDMOS晶体管包括源极扩散层，具有相对该源极扩散层电导率的电导率的沟道扩散层，并以包围该源极扩散层的侧表面和底表面形成，以及具有与该源极扩散层电导率相同电导率的漏极扩散层，并以在外面邻近该沟道扩散层形成，该二极管元件包括垂直双极型晶体管，具有形成该二极管元件集电极的集电极扩散层，具有相对该集电极扩散层电导率的电导率的基极扩散层，并在该集电极扩散层中形成该二极管元件的基极，所述基极连接至该集电极，以及具有与该集电极扩散层电导率相同电导率的发射极扩散层，并在该基极扩散层中形成该二极管元件的发射极，因此在该基极和该发射极之间产生二极管，其中该开关元件的漏极和该二极管元件的阳极连接至该开关端子，以及该二极管元件的阴极连接至该输出端子。