[发明专利]形成绝缘膜的方法有效
| 申请号： | 200710142216.1 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101131919A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 广濑隆之;江户雅晴;佐藤启 | 申请（专利权）人： | 富士电机控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种形成绝缘膜的方法。该方法减少与周边电极相邻的器件元件之上抗蚀膜的高度差(隆起)，并限制器件元件端部的凸起部分上的抗蚀膜厚度的减小。在此方法中，虚拟图案4形成于周边环形电极2与器件元件6的凸起部分3a之间的区域中。根据这种方法，凸起部分3a上的抗蚀膜在位置G处的厚度被制成近似等于凸起部分3b上抗蚀膜在位置K处的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成绝缘膜的方法，包括在基板上真空层压绝缘有机材料的步骤，所述基板具有形成于所述基板的周边区域中的周边环形电极，以及形成于所述周边区域内部的器件元件，并且具有包括凸起部分的表面配置，其中第一虚拟图案形成于所述基板上的所述周边环形电极与所述器件元件之间的区域中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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