[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

摘要

为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

主权项

1.一种半导体装置，它包括：在绝缘表面上形成的结晶半导体岛，该结晶半导体岛包括一对杂质区以及在该对杂质区之间相互平行延伸的至少第一和第二部分，其中每个所述第一和第二部分都包括沟道形成区；在第一和第二部分上形成的栅绝缘膜；形成于第一和第二部分之上的栅电极，而栅绝缘膜插在其中，其中，栅绝缘膜接触所述半导体岛的每个所述第一和第二部分的顶面和侧面，而栅电极形成在所述半导体岛的每个所述第一和第二部分的顶面和侧面的近邻，栅绝缘膜插在其中。