[发明专利]相变化存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710142372.8 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101373814A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 林永发;王德纯 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含相变化材料层，其中该相变化材料层具有凹陷部；以及加热源，其中该加热源具有延伸部，其中该加热源的延伸部楔入该相变化材料层的凹陷部。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储器元件，包括:相变化材料层，其中该相变化材料层具有凹陷部；以及加热源，其中该加热源具有延伸部，其中该加热源的延伸部楔入该相变化材料层的凹陷部。
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