[发明专利]双极结晶体管及具有该结构的CMOS图像传感器

摘要

本发明提供一种水平型双极结晶体管元件(BJT)和具有该元件的CMOS图像传感器。在本发明实施例中，双极结晶体管的集电极电流可以在水平方向均匀流动，从而可增加电流的总量。在本发明实施例中，可获得较大电流增益。在本发明实施例中，可制造出具有不同电流增益的双极结晶体管元件。

主权项

1.一种具有双极结晶体管的CMOS图像传感器，包括：第一电导率的第一光电二极管、第一电导率的第一集电极区、以及第一电导率的第一发射极区，形成于导电衬底上；第一外延层，具有与所述第一光电二极管连接的第一电导率的第一插塞、与所述第一集电极区连接的第二集电极区、以及与所述第一发射极区连接的第二发射极区；第一电导率的第二光电二极管、与所述第二集电极区连接的第三集电极区、以及与所述第一外延层中的第二发射极区连接的第三发射极区，其中所述第二光电二极管通过在所述第一外延层中注入离子而形成；第二外延层，位于所述第一外延层上，并具有与所述第二光电二极管连接的第一电导率的第二插塞、与所述第三发射极区连接的第四发射极区、以及与所述第三集电极区连接的第四集电极区；第一电导率的第三光电二极管、与所述第四发射极区连接的第一电导率的发射极接触区、以及与形成于所述第二外延层上的所述第四集电极区连接的第一电导率的集电极区；和第二电导率的基极接触区，形成于所述第二外延层上。