[发明专利]使用填充四面体半导体的半导体器件有效
| 申请号： | 200710142429.4 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101140949A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 清水达雄;山本和重 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过引入用于取代晶格点位置的组分原子的杂质原子S和将被插入到基质半导体的间隙位置的杂质原子I形成的一种配备有填充四面体半导体的半导体器件，其中在该基质半导体处组分原子被键合以形成四面体键结构。这种半导体器件被制造为呈现高迁移率级别和高电流驱动力并且使用如下的一种半导体物质作为沟道材料，该半导体物质中由于杂质原子S和杂质原子I之间发生的电荷转移使得杂质原子S具有与基质半导体的组分原子一致的电荷，并且该半导体物质中杂质原子I以一种呈现闭壳结构的电子排列的状态键合。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 填充 四面体 半导体 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有MIS型场效应晶体管的半导体器件，包括：第一半导体薄膜；被形成为由所述第一半导体薄膜彼此分开的源/漏区；在所述源/漏区之间的所述第一半导体薄膜上形成的栅绝缘膜；以及在所述栅绝缘膜上形成的栅电极，所述第一半导体薄膜包括：基质半导体，其具有的组分原子键合从而形成四面体键结构；用于取代所述基质半导体的晶格点位置的组分原子的杂质原子S，并且使该杂质原子S具有与所述基质半导体的组分原子一致的电荷；以及将被插入到所述基质半导体的间隙位置中的杂质原子I，该杂质原子I与所述杂质原子S键合，并且该杂质原子I处于呈现闭壳结构的电子排列的状态。
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