[发明专利]半导体晶片及其制造方法

摘要

在半导体晶片上形成多个IC区域，该半导体晶片被分割为包含IC的单个芯片，其中在硅衬底上依次形成布线层和绝缘层。为了降低IC和划片线之间的高度差，形成平面绝缘层以覆盖关于IC、密封环和划片线的整个表面。为了避免在IC中出现断裂和故障，以阶梯状的方式形成开口从而部分地蚀刻绝缘层，使得每个所述开口的壁均以20°至80°的指定角度倾斜。例如，形成相对于薄膜元件部分的第一开口，和形成相对于外部端子连接焊盘的第二开口。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，在该半导体器件中，在形成于半导体衬底上的IC区域的布线层上经由绝缘层形成薄膜元件，且其中在暴露一部分所述布线层的所述绝缘层的开口中形成第二布线层，以建立所述布线层和所述薄膜元件之间的电连接，所述制造方法包括以下步骤：形成具有开口的抗蚀剂膜，所述开口的壁是倾斜的并且从其底部到上端逐渐扩大；以及通过使用所述抗蚀剂膜作为掩模，选择性地去除所述绝缘层，由此形成所述绝缘层的所述开口，所述开口是倾斜的并且从其底部到其上端逐渐扩大。