[发明专利]发光二极管与其制造方法无效
| 申请号： | 200710142570.4 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378097A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李国永 | 申请（专利权）人： | 奇力光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管与其制造方法。此发光二极管的制造方法至少包括：依序形成折射介电层、接合层、磊晶结构及第一电极于透明基板上，其中磊晶结构依序形成第一电性半导体层、主动层及第二电性半导体层；形成第二电极于第二电性半导体层的部分表面上，因而完成发光二极管。本实施的发光二极管可借由折射介电层来折射发光二极管内部的光线，因而可提升光取出率，进而增加发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于至少包括:一透明基板；一折射介电层，设于该透明基板上；一接合层，设于该折射介电层上；一磊晶结构，设于该接合层上，其中该磊晶结构至少包括:一第二电性半导体层，设于该接合层上，并暴露出一部分表面；一主动层，设于该第二电性半导体层上；及一第一电性半导体层，设于该主动层上，其中该第二电性半导体层的电性相反于该第一电性半导体层；一第二电极，设于该第二电性半导体层的该部分表面上；以及一第一电极，设于该第一电性半导体层上。
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