[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710142603.5 | 申请日： | 2007-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101165878A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 朴元帝 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/146;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。在一个实施例中，该方法包括在衬底上形成第一电介质层，以及移除衬底的光敏区上的第一电介质层的部分，以形成第一电介质层中的凹处。内部透镜和蚀刻停止层同时形成在衬底上。内部透镜填充第一电介质层的凹处，而蚀刻停止层覆盖内部透镜和在第一电介质层上延展。第二电介质层可形成于内部透镜和蚀刻停止层上。第二电介质层可由与蚀刻停止层不同的材料组成。可在内部透镜上第二电介质层中形成空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成图像传感器的方法，包括：在衬底上形成第一电介质层；移除所述衬底的光敏区上的所述第一电介质层的部分，以形成所述第一电介质层中的凹处；同时在所述衬底上形成内部透镜和蚀刻停止层，所述内部透镜填充所述第一电介质层中的凹处，而所述蚀刻停止层覆盖所述内部透镜并且在所述第一电介质层上延展；在所述内部透镜和所述蚀刻停止层上形成第二电介质层，所述第二电介质层由与所述蚀刻停止层不同的材料形成；以及在所述内部透镜上的所述第二电介质层中形成空腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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