[发明专利]磁致电阻效应元件,磁头,磁记录/音响装置和磁存储器无效
申请号: | 200710142716.5 | 申请日: | 2007-08-16 |
公开(公告)号: | CN101154706A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 福家广见;桥本进;高岸雅幸;岩崎仁志 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;TDK株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;H01F10/32;H01F10/12;G11B5/39 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 徐申民;张惠萍 |
地址: | 日本国东京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种磁致电阻效应元件包括:其磁化是基本上固定在一个方向上的第一磁化层;其磁化是依外部磁场旋转的第二磁化层;包含绝缘部分和磁性金属部分并被配置于所述第一磁化层和第二磁化层之间的中间层;和一对使电流沿着垂直于由所述第一磁化层、所述中间层和所述第二磁化层构成的多层薄膜的薄膜表面的方向流过的电极;其中所述中间层的所述磁性金属部分包含非铁磁金属。 | ||
搜索关键词: | 致电 效应 元件 磁头 记录 音响 装置 磁存储器 | ||
【主权项】:
1.一种磁致电阻效应元件,该元件包括:第一磁化层,其磁化基本固定在一个方向上;第二磁化层,其磁化依外部磁场而旋转;中间层,其包含绝缘部分和磁性金属部分,并被配置于所述第一磁化层和第二磁化层之间;和一对电极,其使电流沿着垂直于由所述第一磁化层、所述中间层和所述第二磁化层构成的多层薄膜的薄膜表面的方向流过,其中所述中间层的所述磁性金属部分包含非铁磁金属。
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