[发明专利]闪存及其制造方法有效
| 申请号： | 200710143165.4 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101359694A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 易成名 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种闪存，包括衬底、位于衬底上的堆栈结构、源极与漏极和一个源极端间隔层，其中堆栈结构包括隧穿氧化层、位于隧穿氧化层上的电荷存储层、位于电荷存储层上的栅间介质层及位于栅间介质层上的控制栅极。而源极与漏极是分别位于电荷存储层两侧的衬底中。源极端间隔层则是位于堆栈结构接近源极的一侧壁上，以防止隧穿氧化层与栅间介质层在接近源极端的部位被再次氧化而导致厚度增加。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种闪存，其特征在于其包括：一衬底；一堆栈结构，位于该衬底上，该堆栈结构包括：一隧穿氧化层；一电荷存储层，位于该隧穿氧化层上；一栅间介质层，位于该电荷存储层上；以及一控制栅极，位于该栅间介质层上；一源极与一漏极，分别位于该电荷存储层两侧的该衬底中；以及一源极端间隔层，位于该堆栈结构接近该源极的一侧壁上，以防止该隧穿氧化层与该栅间介质层在接近该源极端的部位被再次氧化。
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