[发明专利]移载容器的容置室结构无效
申请号: | 200710143556.6 | 申请日: | 2007-08-09 |
公开(公告)号: | CN101364556A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 廖莉雯;陈俐慇;卢诗文;蔡铭贵 | 申请(专利权)人: | 亿尚精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677;G03F1/00;G03F7/20;B65D81/18;B65D81/26 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种移载容器的容置室结构,特别是指一种供利用添加物控制移载容器内部环境的容置室结构,该移载容器包含一底座及一壳罩,壳罩可选择性覆盖于底座上形成一置放物件的容置空间,且壳罩是由一外壳与一对应容置空间的内衬所组成,其是于内衬上设有至少一供容设添加物的填充部,该填充部周缘并形成有复数通孔与容置空间连通,供利用通孔使填充部内的添加物可与容置空间内环境产生反应,以消除或吸收或中和该移载容器内部因容器本身或制程因素所释出的有害物质,使得本发明具有提升该移载容器内部洁净度的功效。 | ||
搜索关键词: | 容器 容置室 结构 | ||
【主权项】:
1.一种移载容器的容置室结构,该移载容器用于放置半导体制程的晶圆与光罩等物件,其特征在于其包含:一底座,其是用以承托一物件;一壳罩,其可选择性结合于该底座的上方,该壳罩结合于底座上时形成有一容置空间,又壳罩具至少一可选择性启闭的填充部,填充部周缘并形成有复数与前述容置空间连通的通孔;及至少一添加物,其是设于前述壳罩的填充部内,该添加物为供吸收、消除、中和前述容置空间内有害物质的物质,且添加物不致直接与容置空间内部的物件接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亿尚精密工业股份有限公司,未经亿尚精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710143556.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造