[发明专利]在衬底上沉积阻障层的方法与系统有效
| 申请号： | 200710143893.5 | 申请日： | 2007-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101266940A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 骆统;苏金达;杨大弘;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在衬底上沉积阻障层的方法。首先，以离子化金属电浆物理气相沉积制作工艺，在衬底上沉积钛层，钛层的厚度在约为10埃至约为1000埃之间。接着，以金属有机化学气相沉积制作工艺，在所述钛层上沉积第一氮化钛层，第一氮化钛层的厚度在约为1埃至约为100埃之间。之后，以热化学气相沉积制作工艺，在第一氮化钛层上沉积第二氮化钛层，第二氮化钛层的厚度在约为10埃至约为750埃之间。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 沉积 阻障 方法 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种在衬底上沉积阻障层的方法，其特征在于，该方法包括：以一第一气相沉积制作工艺，在衬底上沉积一第一阻障层；以一第二气相沉积制作工艺，在所述第一阻障层上沉积一第二阻障层；以及以一热化学气相沉积制作工艺，在所述第二阻障层上沉积一第三阻障层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
