[发明专利]N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法无效
| 申请号： | 200710144095.4 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101275260A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 汤儆;庄金亮;张力;田昭武 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/02;H01L21/445 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法，涉及一种硅表面的微加工技术。提供一种低成本、加工步骤简单、加工速度快且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在n型硅表面直接生长金属微结构的N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法。将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面，浸泡在铜镀液中得琼脂糖凝胶模板；再将其下部浸没在电解池中使模板微结构部分暴露于铜镀液液面上；在n型硅片背面溅射Ti/Au层形成欧姆结；将溅射Ti/Au层的n型硅片的抛光面正置于模板的微结构面，将n型硅片作为工作电极，在n型硅片上生长铜微结构；将已生长铜微结构的n型硅片与存储有铜镀液的琼脂糖凝胶模板分离。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 区域 选择性 电化学 沉积 微结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法，其特征在于其步骤为：1)选用具有微结构的钛、石英或硅片作为原始母版，将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面，再将琼脂糖浸泡在铜镀液中，使琼脂糖内部充满铜镀液，得内部存储有铜镀液的琼脂糖凝胶模板；2)将存储铜镀液的琼脂糖凝胶模板的下部浸没在含有相同铜镀液的电解池中，使琼脂糖凝胶模板的微结构部分暴露于铜镀液的液面上方；3)利用磁控溅射方法在n型硅片背面溅射Ti/Au层，形成欧姆结；4)将溅射Ti/Au层的n型硅片的抛光面正置于存储有铜镀液的琼脂糖凝胶模板的微结构面，将n型硅片作为工作电极，选择电化学沉积的电位为-0.4～-0.6V，在n型硅片上生长铜微结构；5)将已生长铜微结构的n型硅片与存储有铜镀液的琼脂糖凝胶模板分离，加工完毕。
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